Подготовка инженеров на кафедре электроники и наноэлектроники в XXI веке
Ключевые слова:
электроника, наноэлектроника, полупроводниковые приборы, алмазоподобные пленки, нанокомпозиты, газовые сенсоры, полимерные композиционные материалы, средства ультразвукового неразрушающего контроля
Аннотация
Рассмотрены история развития электроники и роль кафедры электроники и наноэлектроники в подготовке современных специалистов направления. Представлены основные научные направления школы кафедры в XXI веке.
Литература
1. Гуляев А.М., Шнитников А.С. Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 2. С. 214—218.
2. Морозова Н.К. Кристаллография и методы исследования структур. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
3. Попов А.И. Физика и технология неупорядоченных полупроводников. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
4. Воронков Э.Н., Гуляев А.М., Мирошникова И.Н., Чарыков Н.А. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2009.
5. Воронков Э.Н. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2010.
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Selfactivated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model // Phys Stat Solidi. 2010. V. 7. No. 6. Pp. 1501—1503.
7. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Особенности экситонных спектров монокристаллов CdS(О) // Изв. Вузов. Cерия «Электроника». 2012. № 1 (93). С. 14—20.
8. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1014—1021.
9. Морозова Н.К., Галстян В.Г., Волков А.О., Мащенко В.Е. Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1169—1174.
10. Морозова Н.К., Мирошников Б.Н. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 3. С. 295—298.
11. Мнацаканов T.T., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н., Palmour J.W. Нарушение нейтральности и возникновение S-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках // ФТП. 2013. Т. 47. № 3. С. 302—309.
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. No. 6. P. 064503.
13. Левинштейн М.Е. и др. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа // ФТП. 2016. Т. 50. № 3. С. 408—414.
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level // Solid-state Electronics. 2016. V. 121. No. 7. Pp. 41—46.
15. Юрков С.Н. и др. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC // ФТП. 2017. Т. 51. № 2. С. 234—239.
16. Мнацаканов Т.Т., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н. Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей // ФТП. 2017. Т. 51. № 8. С. 1125—1130.
17. Мирошников Б.Н., Мирошникова И.Н., Мохамед Х.С.Х., Попов А.И. Шум типа 1/Fα в фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца // Измерительная техника. 2015. № 2. С. 37—40.
18. Баринов А.Д. и др. Использование современного оборудования для анализа тонкопленочных структур: успехи и проблемы // Вестник МЭИ. 2013. № 5. С. 129—132.
19. Варлашов И.Б. и др. Исследование фоточувствительных структур на основе PbS методом ожеэлектронной спектроскопии // Вестник МЭИ. 2015.№ 2. С. 103—107.
20. Mohamed H.S.H. е. а. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods // J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014. V. 27. P. 725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrysta lline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide // J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014. No. 9. Pp. 783—786.
22. Мирошникова И.Н., Мирошников Б.Н., Попов А.И. Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS // ФТП. 2018. Вып. 2. С. 245—249.
23. Попов А. И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л.Васильев А.Л. Наноструктурирование пленок металлосодержащих кремний-углеродных композитов // Российские нанотехнологии. 2014. T. 9. № 5—6. C. 48—51.
24. Пресняков М.Ю. и др. Термостабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7—8. С. 59—70.
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites // J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014. V. 9. No. 6. Pp. 787—791.
26. Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. Влияние термообработок на структуру, химический состав и электропроводность кремнийуглеродных нанокомпозитов // Вестник МЭИ. 2015. № 1. C. 85—90.
27. Гуляев А.М. и др. Резистивные газовые сенсоры с повышенной чувствительностью к спиртам на основе нанокристаллических пленок окислов олова с аддитивами тербия и сурьмы // Измерительная техника. 2017. № 7. С. 34—36.
28. Сарач О.Б. Газовые сенсоры на основе тонких пленок SnO 2-x с аддитивом Gd // Вестник МЭИ. 2015.№ 4. С. 62—66.
29. Попов А.И., Сальников С.М., Ануфриев Ю.В. Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 4. С. 509—514.
30. Попов А.И. и др. Влияние конструкции ячеек памяти на фазовых переходах на характеристики переключения // Вестник МЭИ. 2014. № 4. С. 61—65.
31. Попов А.И., Сальников С.М., Дудин А.А., Ануфриев Ю.В. Влияние тепловых процессов на работоспособность ячеек памяти на фазовых переходах // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сб. трудов IX Междунар. конф. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2014. С. 99—100.
32. Карташев В.Г. и др. Применение синхронного детектирования при ультразвуковой толщинометрии бетонных изделий с неоднородной структурой // Дефектоскопия. 2015. № 8. С. 34—46.
33. Качанов В.К. и др. Применение радиотехнических методов обработки сигналов при ультразвуковой толщинометрии изделий из сложноструктурных материалов // Дефектоскопия. 2015. № 6. С. 32—40.
34. Качанов В.К., Карташев В.Г., Соколов И.В., Концов Р.В., Федоров М.Б. Ультразвуковая адаптивная многофункциональная дефектоскопия. М.: Издат. дом МЭИ, 2015.
35. Качанов В.К. и др. Структурный шум в ультразвуковой дефектоскопии. М.: Издат. дом МЭИ, 2016.
36. Карташев В.Г., Качанов В.К., Шалимова Е.В. Оценка потенциальной точности измерения толщины объектов из сложноструктурных материалов с частотно-зависимым затуханием ультразвука // Измерительная техника. 2016. № 11. С. 60—63.
37. Качанов В.К. и др. Выбор параметров пространственно-временной обработки сигналов при ультразвуковой структуроскопии чугунных изложниц, подвергшихся термоциклированию // Дефектоскопия. 2016. № 6. С. 42—50.
---
Для цитирования: Мирошникова И.Н., Попов А.И., Гуляев А.М., Зенова Е.В. Подготовка инженеров на кафедре электроники и наноэлектроники в XXI веке // Вестник МЭИ. 2018. № 5. С. 103—110. DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
#
1. Gulyaev A.M., Shnitnikov A.S. Vliyanie Izbytka Komponentov na Elektricheskie Svoystva Plenok Antimonida Indiya. Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 2015;49;2:214—218. (in Russian).
2. Morozova N.K. Kristallografiya i Metody Issledo vaniya Struktur. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
3. Popov A.I. Fizika i Tekhnologiya Neuporyadochennyh Poluprovodnikov. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
4. Voronkov E.N., Gulyaev A.M., Miroshnikova I.N., Charykov N.A. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2009. (in Russian).
5. Voronkov E.N. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2010. (in Russian).
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Self activated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model. Phys Stat Solidi. 2010;7;6:1501—1503.
7. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Osobennosti Eksitonnyh Spektrov Monokristallov CdS(O). Izv Vuzov. Ceriya «Elektronika». 2012;1 (93):14—20. (in Russian).
8. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Opticheskie Svoystva Sloev Cds(O), Ionno-legirovannyh Kislorodom, s Pozitsii Teorii Antiperesekayushchihsya Zon. FTP. 2013;47;8:1014—1021. (in Russian).
9. Morozova N.K., Galstyan V.G., Volkov A.O., Mashchenko V.E. Opticheskie svoystva Ionno-legirovannyh sloev ZnO(Se) s Pozitsiy Teorii Antiperesekayushchihsya zon. FTP. 2015;49;9:1169—1174. (in Russian).
10. Morozova N.K., Miroshnikov B.N. Izoelektronnye Tsentry Kisloroda i Provodimost' Kristallov CdS v Sravnenii s PbS. FTP. 2018;52;3:295—298. (in Russian).
11. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yгrkov S.N., Palmour J.W. Narushenie Neytral'nosti i Vozniknovenie S-obraznoy Vol't-ampernoy Harakteristiki pri Dvoynoy Inzhektsii v Legirovannyh Poluprovodnikah. FTP. 2013;47;3:302—309. (in Russian).
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift. J. Appl. Phys. 2013;114;6:064503.
13. Levinshteyn M.E. i dr. Vysokovol'tnyy Tiristor na Osnove Karbida Kremniya s Blokiruyushchey Bazoy n-tipa. FTP. 2016;50;3:408—414. (in Russian).
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level. Solid-state Electronics. 2016;121;7:41—46.
15. Yurkov S.N. i dr. Analiz Vliyaniya Neodnomernyh Effektov na Otpirayushchiy Tok Upravleniya Tiristornyh Struktur na Osnove 4H-SiC. FTP. 2017;51;2:234—239. (in Russian).
16. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yurkov S.N. Vol't-ampernaya Harakteristika Diodov Shottki pri Bol'shih Plotnostyah Toka v Usloviyah Inzhektsii Neosnovnyh Nositeley. FTP. 2017;51;8: 1125—1130. (in Russian).
17. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Mohamed H.S.H., Popov A.I. Shum Tipa 1/Fα v Fotochuvstvitel'nyh Elementah na Osnove Sul'fida Svintsa. Izmeritel'naya Tekhnika. 2015;2:37—40. (in Russian).
18. Barinov A.D. i dr. Ispol'zovanie Sovremennogo Oborudovaniya dlya Analiza Tonkoplenochnyh Struktur: Uspekhi i Problemy. Vestnik MPEI. 2013;5:129—132. (in Russian).
19. Varlashov I.B. i dr. Issledovanie Fotochuvstvitel'nyh Struktur na Osnove Pbs Metodom Ozhe-elektronnoy Spektroskopii. Vestnik MPEI. 2015;2:103—107. (in Russian).
20. Mohamed H.S.H. e. a. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods. J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014;27:725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrystalline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide. J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014;9:783—786.
22. Miroshnikova I.N., Miroshnikov B.N., Popov A.I. Optimizatsiya Parametrov Polikristallicheskih Fotorezistorov na Osnove PbS. FTP. 2018;2:245—249. (in Russian).
23. Popov A. I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L., Vasil'ev A.L. Nanostrukturirovanie Plenok Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Kompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;5—6:48—51. (in Russian).
24. Presnyakov M.Yu. i dr. Termostabil'nost' Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;7—8:59—70. (in Russian).
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites.J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014;9;6: 787—791.
26. Barinov A.D., Popov A.I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L. Vliyanie Termoobrabotok na Strukturu, Himicheskiy Sostav i Elektroprovodnost' Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Vestnik MPEI. 2015;1:85—90. (in Russian).
27. Gulyaev A.M. i dr. Rezistivnye Gazovye Sensory s Povyshennoy Chuvstvitel'nost'yu k Spirtam na Osnove Nanokristallicheskih Plenok Okislov Olova s Additivami Terbiya i Sur'my. Izmeritel'naya Tekhnika. 2017;7:34—36. (in Russian).
28. Sarach O.B. Gazovye Sensory na Osnove Tonkih Plenok SnO 2-x s Additivom Gd. Vestnik MPEI. 2015;4: 62—66. (in Russian).
29. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Anufriev Yu.V. Usloviya Ustoychivogo Pereklyucheniya v Yacheykah Pamyati na Fazovyh Perekhodah. FTP. 2015;49;4:509—514. (in Russian).
30. Popov A.I. i dr. Vliyanie Konstruktsii Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah na Harakteristiki Pereklyucheniya. Vestnik MPEI. 2014;4:61—65. (in Russian).
31. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Dudin A.A., Anufriev Yu.V. Vliyanie Teplovyh Protsessov na Rabotosposobnost' Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah. Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki: Sb. Trudov IX Mezhdunar. Konf. SPb.: Izd-vo Politekhn. Un-ta, 2014:99—100. (in Russian)
32. Kartashev V.G. i dr. Primenenie Sinhronnogo Detektirovaniya pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Betonnyh Izdeliy s Neodnorodnoy Strukturoy. Defektoskopiya. 2015;8:34—46. (in Russian).
33. Kachanov V.K. i dr. Primenenie Radiotekhnicheskih Metodov Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Izdeliy iz Slozhnostrukturnyh Materialov. Defektoskopiya. 2015;6:32—40. (in Russian).
34. Kachanov V.K., Kartashev V.G., Sokolov I.V., Kontsov R.V., Fedorov M.B. Ul'trazvukovaya Adaptiv- naya Mnogofunktsional'naya Defektoskopiya. M.: Izdat. Dom MPEI, 2015. (in Russian).
35. Kachanov V.K. i dr. Strukturnyy Shum v Ul'trazvukovoy Defektoskopii. M.: Izdat. Dom MPEI, 2016. (in Russian).
36. Kartashev V.G., Kachanov V.K., Shalimova E.V. Otsenka Potentsial'noy Tochnosti Izmereniya Tolshchiny Ob'ektov iz Slozhnostrukturnyh Materialov s Chastotnozavisimym Zatuhaniem Ul'trazvuka. Izmeritel'naya Tekhnika. 2016;11:60—63. (in Russian).
37. Kachanov V.K. i dr. Vybor Parametrov Prostranstvenno-vremennoy Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Strukturoskopii Chugunnyh Izlozhnits, Podvergshihsya Termotsiklirovaniyu. Defektoskopiya. 2016;6:42—50. (in Russian).
---
For citation: Miroshnikova I.N., Popov A.I., Gulyaev A.M., Zenova E.V. Training of Engineers at the Department of Electronics and Nanoelectronics in the XXI Century. MPEI Vestnik. 2018;5:103—110. (in Russian). DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
2. Морозова Н.К. Кристаллография и методы исследования структур. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
3. Попов А.И. Физика и технология неупорядоченных полупроводников. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
4. Воронков Э.Н., Гуляев А.М., Мирошникова И.Н., Чарыков Н.А. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2009.
5. Воронков Э.Н. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2010.
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Selfactivated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model // Phys Stat Solidi. 2010. V. 7. No. 6. Pp. 1501—1503.
7. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Особенности экситонных спектров монокристаллов CdS(О) // Изв. Вузов. Cерия «Электроника». 2012. № 1 (93). С. 14—20.
8. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1014—1021.
9. Морозова Н.К., Галстян В.Г., Волков А.О., Мащенко В.Е. Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1169—1174.
10. Морозова Н.К., Мирошников Б.Н. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 3. С. 295—298.
11. Мнацаканов T.T., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н., Palmour J.W. Нарушение нейтральности и возникновение S-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках // ФТП. 2013. Т. 47. № 3. С. 302—309.
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. No. 6. P. 064503.
13. Левинштейн М.Е. и др. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа // ФТП. 2016. Т. 50. № 3. С. 408—414.
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level // Solid-state Electronics. 2016. V. 121. No. 7. Pp. 41—46.
15. Юрков С.Н. и др. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC // ФТП. 2017. Т. 51. № 2. С. 234—239.
16. Мнацаканов Т.Т., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н. Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей // ФТП. 2017. Т. 51. № 8. С. 1125—1130.
17. Мирошников Б.Н., Мирошникова И.Н., Мохамед Х.С.Х., Попов А.И. Шум типа 1/Fα в фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца // Измерительная техника. 2015. № 2. С. 37—40.
18. Баринов А.Д. и др. Использование современного оборудования для анализа тонкопленочных структур: успехи и проблемы // Вестник МЭИ. 2013. № 5. С. 129—132.
19. Варлашов И.Б. и др. Исследование фоточувствительных структур на основе PbS методом ожеэлектронной спектроскопии // Вестник МЭИ. 2015.№ 2. С. 103—107.
20. Mohamed H.S.H. е. а. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods // J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014. V. 27. P. 725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrysta lline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide // J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014. No. 9. Pp. 783—786.
22. Мирошникова И.Н., Мирошников Б.Н., Попов А.И. Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS // ФТП. 2018. Вып. 2. С. 245—249.
23. Попов А. И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л.Васильев А.Л. Наноструктурирование пленок металлосодержащих кремний-углеродных композитов // Российские нанотехнологии. 2014. T. 9. № 5—6. C. 48—51.
24. Пресняков М.Ю. и др. Термостабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7—8. С. 59—70.
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites // J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014. V. 9. No. 6. Pp. 787—791.
26. Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. Влияние термообработок на структуру, химический состав и электропроводность кремнийуглеродных нанокомпозитов // Вестник МЭИ. 2015. № 1. C. 85—90.
27. Гуляев А.М. и др. Резистивные газовые сенсоры с повышенной чувствительностью к спиртам на основе нанокристаллических пленок окислов олова с аддитивами тербия и сурьмы // Измерительная техника. 2017. № 7. С. 34—36.
28. Сарач О.Б. Газовые сенсоры на основе тонких пленок SnO 2-x с аддитивом Gd // Вестник МЭИ. 2015.№ 4. С. 62—66.
29. Попов А.И., Сальников С.М., Ануфриев Ю.В. Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 4. С. 509—514.
30. Попов А.И. и др. Влияние конструкции ячеек памяти на фазовых переходах на характеристики переключения // Вестник МЭИ. 2014. № 4. С. 61—65.
31. Попов А.И., Сальников С.М., Дудин А.А., Ануфриев Ю.В. Влияние тепловых процессов на работоспособность ячеек памяти на фазовых переходах // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сб. трудов IX Междунар. конф. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2014. С. 99—100.
32. Карташев В.Г. и др. Применение синхронного детектирования при ультразвуковой толщинометрии бетонных изделий с неоднородной структурой // Дефектоскопия. 2015. № 8. С. 34—46.
33. Качанов В.К. и др. Применение радиотехнических методов обработки сигналов при ультразвуковой толщинометрии изделий из сложноструктурных материалов // Дефектоскопия. 2015. № 6. С. 32—40.
34. Качанов В.К., Карташев В.Г., Соколов И.В., Концов Р.В., Федоров М.Б. Ультразвуковая адаптивная многофункциональная дефектоскопия. М.: Издат. дом МЭИ, 2015.
35. Качанов В.К. и др. Структурный шум в ультразвуковой дефектоскопии. М.: Издат. дом МЭИ, 2016.
36. Карташев В.Г., Качанов В.К., Шалимова Е.В. Оценка потенциальной точности измерения толщины объектов из сложноструктурных материалов с частотно-зависимым затуханием ультразвука // Измерительная техника. 2016. № 11. С. 60—63.
37. Качанов В.К. и др. Выбор параметров пространственно-временной обработки сигналов при ультразвуковой структуроскопии чугунных изложниц, подвергшихся термоциклированию // Дефектоскопия. 2016. № 6. С. 42—50.
---
Для цитирования: Мирошникова И.Н., Попов А.И., Гуляев А.М., Зенова Е.В. Подготовка инженеров на кафедре электроники и наноэлектроники в XXI веке // Вестник МЭИ. 2018. № 5. С. 103—110. DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
#
1. Gulyaev A.M., Shnitnikov A.S. Vliyanie Izbytka Komponentov na Elektricheskie Svoystva Plenok Antimonida Indiya. Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 2015;49;2:214—218. (in Russian).
2. Morozova N.K. Kristallografiya i Metody Issledo vaniya Struktur. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
3. Popov A.I. Fizika i Tekhnologiya Neuporyadochennyh Poluprovodnikov. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
4. Voronkov E.N., Gulyaev A.M., Miroshnikova I.N., Charykov N.A. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2009. (in Russian).
5. Voronkov E.N. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2010. (in Russian).
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Self activated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model. Phys Stat Solidi. 2010;7;6:1501—1503.
7. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Osobennosti Eksitonnyh Spektrov Monokristallov CdS(O). Izv Vuzov. Ceriya «Elektronika». 2012;1 (93):14—20. (in Russian).
8. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Opticheskie Svoystva Sloev Cds(O), Ionno-legirovannyh Kislorodom, s Pozitsii Teorii Antiperesekayushchihsya Zon. FTP. 2013;47;8:1014—1021. (in Russian).
9. Morozova N.K., Galstyan V.G., Volkov A.O., Mashchenko V.E. Opticheskie svoystva Ionno-legirovannyh sloev ZnO(Se) s Pozitsiy Teorii Antiperesekayushchihsya zon. FTP. 2015;49;9:1169—1174. (in Russian).
10. Morozova N.K., Miroshnikov B.N. Izoelektronnye Tsentry Kisloroda i Provodimost' Kristallov CdS v Sravnenii s PbS. FTP. 2018;52;3:295—298. (in Russian).
11. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yгrkov S.N., Palmour J.W. Narushenie Neytral'nosti i Vozniknovenie S-obraznoy Vol't-ampernoy Harakteristiki pri Dvoynoy Inzhektsii v Legirovannyh Poluprovodnikah. FTP. 2013;47;3:302—309. (in Russian).
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift. J. Appl. Phys. 2013;114;6:064503.
13. Levinshteyn M.E. i dr. Vysokovol'tnyy Tiristor na Osnove Karbida Kremniya s Blokiruyushchey Bazoy n-tipa. FTP. 2016;50;3:408—414. (in Russian).
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level. Solid-state Electronics. 2016;121;7:41—46.
15. Yurkov S.N. i dr. Analiz Vliyaniya Neodnomernyh Effektov na Otpirayushchiy Tok Upravleniya Tiristornyh Struktur na Osnove 4H-SiC. FTP. 2017;51;2:234—239. (in Russian).
16. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yurkov S.N. Vol't-ampernaya Harakteristika Diodov Shottki pri Bol'shih Plotnostyah Toka v Usloviyah Inzhektsii Neosnovnyh Nositeley. FTP. 2017;51;8: 1125—1130. (in Russian).
17. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Mohamed H.S.H., Popov A.I. Shum Tipa 1/Fα v Fotochuvstvitel'nyh Elementah na Osnove Sul'fida Svintsa. Izmeritel'naya Tekhnika. 2015;2:37—40. (in Russian).
18. Barinov A.D. i dr. Ispol'zovanie Sovremennogo Oborudovaniya dlya Analiza Tonkoplenochnyh Struktur: Uspekhi i Problemy. Vestnik MPEI. 2013;5:129—132. (in Russian).
19. Varlashov I.B. i dr. Issledovanie Fotochuvstvitel'nyh Struktur na Osnove Pbs Metodom Ozhe-elektronnoy Spektroskopii. Vestnik MPEI. 2015;2:103—107. (in Russian).
20. Mohamed H.S.H. e. a. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods. J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014;27:725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrystalline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide. J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014;9:783—786.
22. Miroshnikova I.N., Miroshnikov B.N., Popov A.I. Optimizatsiya Parametrov Polikristallicheskih Fotorezistorov na Osnove PbS. FTP. 2018;2:245—249. (in Russian).
23. Popov A. I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L., Vasil'ev A.L. Nanostrukturirovanie Plenok Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Kompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;5—6:48—51. (in Russian).
24. Presnyakov M.Yu. i dr. Termostabil'nost' Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;7—8:59—70. (in Russian).
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites.J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014;9;6: 787—791.
26. Barinov A.D., Popov A.I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L. Vliyanie Termoobrabotok na Strukturu, Himicheskiy Sostav i Elektroprovodnost' Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Vestnik MPEI. 2015;1:85—90. (in Russian).
27. Gulyaev A.M. i dr. Rezistivnye Gazovye Sensory s Povyshennoy Chuvstvitel'nost'yu k Spirtam na Osnove Nanokristallicheskih Plenok Okislov Olova s Additivami Terbiya i Sur'my. Izmeritel'naya Tekhnika. 2017;7:34—36. (in Russian).
28. Sarach O.B. Gazovye Sensory na Osnove Tonkih Plenok SnO 2-x s Additivom Gd. Vestnik MPEI. 2015;4: 62—66. (in Russian).
29. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Anufriev Yu.V. Usloviya Ustoychivogo Pereklyucheniya v Yacheykah Pamyati na Fazovyh Perekhodah. FTP. 2015;49;4:509—514. (in Russian).
30. Popov A.I. i dr. Vliyanie Konstruktsii Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah na Harakteristiki Pereklyucheniya. Vestnik MPEI. 2014;4:61—65. (in Russian).
31. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Dudin A.A., Anufriev Yu.V. Vliyanie Teplovyh Protsessov na Rabotosposobnost' Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah. Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki: Sb. Trudov IX Mezhdunar. Konf. SPb.: Izd-vo Politekhn. Un-ta, 2014:99—100. (in Russian)
32. Kartashev V.G. i dr. Primenenie Sinhronnogo Detektirovaniya pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Betonnyh Izdeliy s Neodnorodnoy Strukturoy. Defektoskopiya. 2015;8:34—46. (in Russian).
33. Kachanov V.K. i dr. Primenenie Radiotekhnicheskih Metodov Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Izdeliy iz Slozhnostrukturnyh Materialov. Defektoskopiya. 2015;6:32—40. (in Russian).
34. Kachanov V.K., Kartashev V.G., Sokolov I.V., Kontsov R.V., Fedorov M.B. Ul'trazvukovaya Adaptiv- naya Mnogofunktsional'naya Defektoskopiya. M.: Izdat. Dom MPEI, 2015. (in Russian).
35. Kachanov V.K. i dr. Strukturnyy Shum v Ul'trazvukovoy Defektoskopii. M.: Izdat. Dom MPEI, 2016. (in Russian).
36. Kartashev V.G., Kachanov V.K., Shalimova E.V. Otsenka Potentsial'noy Tochnosti Izmereniya Tolshchiny Ob'ektov iz Slozhnostrukturnyh Materialov s Chastotnozavisimym Zatuhaniem Ul'trazvuka. Izmeritel'naya Tekhnika. 2016;11:60—63. (in Russian).
37. Kachanov V.K. i dr. Vybor Parametrov Prostranstvenno-vremennoy Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Strukturoskopii Chugunnyh Izlozhnits, Podvergshihsya Termotsiklirovaniyu. Defektoskopiya. 2016;6:42—50. (in Russian).
---
For citation: Miroshnikova I.N., Popov A.I., Gulyaev A.M., Zenova E.V. Training of Engineers at the Department of Electronics and Nanoelectronics in the XXI Century. MPEI Vestnik. 2018;5:103—110. (in Russian). DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
