Training of Engineers at the Department of Electronics and Nanoelectronics in the XXI Century
DOI:
https://doi.org/10.24160/1993-6982-2018-5-103-110Keywords:
electronics, nanoelectronics, semiconductor devices, diamond-like films, nanocomposites, gas sensors, polymer composites, ultrasonic nondestructive examination toolsAbstract
The electronics development history and the role the Department of Electronics and Nanoelectronics plays in the training of specialists in this field are considered. The main fields of the Department’s scholarship scientific activity conducted in the 21st century are presented.
References
1. Гуляев А.М., Шнитников А.С. Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 2. С. 214—218.
2. Морозова Н.К. Кристаллография и методы исследования структур. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
3. Попов А.И. Физика и технология неупорядоченных полупроводников. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
4. Воронков Э.Н., Гуляев А.М., Мирошникова И.Н., Чарыков Н.А. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2009.
5. Воронков Э.Н. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2010.
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Selfactivated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model // Phys Stat Solidi. 2010. V. 7. No. 6. Pp. 1501—1503.
7. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Особенности экситонных спектров монокристаллов CdS(О) // Изв. Вузов. Cерия «Электроника». 2012. № 1 (93). С. 14—20.
8. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1014—1021.
9. Морозова Н.К., Галстян В.Г., Волков А.О., Мащенко В.Е. Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1169—1174.
10. Морозова Н.К., Мирошников Б.Н. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 3. С. 295—298.
11. Мнацаканов T.T., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н., Palmour J.W. Нарушение нейтральности и возникновение S-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках // ФТП. 2013. Т. 47. № 3. С. 302—309.
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. No. 6. P. 064503.
13. Левинштейн М.Е. и др. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа // ФТП. 2016. Т. 50. № 3. С. 408—414.
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level // Solid-state Electronics. 2016. V. 121. No. 7. Pp. 41—46.
15. Юрков С.Н. и др. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC // ФТП. 2017. Т. 51. № 2. С. 234—239.
16. Мнацаканов Т.Т., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н. Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей // ФТП. 2017. Т. 51. № 8. С. 1125—1130.
17. Мирошников Б.Н., Мирошникова И.Н., Мохамед Х.С.Х., Попов А.И. Шум типа 1/Fα в фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца // Измерительная техника. 2015. № 2. С. 37—40.
18. Баринов А.Д. и др. Использование современного оборудования для анализа тонкопленочных структур: успехи и проблемы // Вестник МЭИ. 2013. № 5. С. 129—132.
19. Варлашов И.Б. и др. Исследование фоточувствительных структур на основе PbS методом ожеэлектронной спектроскопии // Вестник МЭИ. 2015.№ 2. С. 103—107.
20. Mohamed H.S.H. е. а. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods // J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014. V. 27. P. 725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrysta lline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide // J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014. No. 9. Pp. 783—786.
22. Мирошникова И.Н., Мирошников Б.Н., Попов А.И. Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS // ФТП. 2018. Вып. 2. С. 245—249.
23. Попов А. И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л.Васильев А.Л. Наноструктурирование пленок металлосодержащих кремний-углеродных композитов // Российские нанотехнологии. 2014. T. 9. № 5—6. C. 48—51.
24. Пресняков М.Ю. и др. Термостабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7—8. С. 59—70.
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites // J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014. V. 9. No. 6. Pp. 787—791.
26. Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. Влияние термообработок на структуру, химический состав и электропроводность кремнийуглеродных нанокомпозитов // Вестник МЭИ. 2015. № 1. C. 85—90.
27. Гуляев А.М. и др. Резистивные газовые сенсоры с повышенной чувствительностью к спиртам на основе нанокристаллических пленок окислов олова с аддитивами тербия и сурьмы // Измерительная техника. 2017. № 7. С. 34—36.
28. Сарач О.Б. Газовые сенсоры на основе тонких пленок SnO 2-x с аддитивом Gd // Вестник МЭИ. 2015.№ 4. С. 62—66.
29. Попов А.И., Сальников С.М., Ануфриев Ю.В. Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 4. С. 509—514.
30. Попов А.И. и др. Влияние конструкции ячеек памяти на фазовых переходах на характеристики переключения // Вестник МЭИ. 2014. № 4. С. 61—65.
31. Попов А.И., Сальников С.М., Дудин А.А., Ануфриев Ю.В. Влияние тепловых процессов на работоспособность ячеек памяти на фазовых переходах // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сб. трудов IX Междунар. конф. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2014. С. 99—100.
32. Карташев В.Г. и др. Применение синхронного детектирования при ультразвуковой толщинометрии бетонных изделий с неоднородной структурой // Дефектоскопия. 2015. № 8. С. 34—46.
33. Качанов В.К. и др. Применение радиотехнических методов обработки сигналов при ультразвуковой толщинометрии изделий из сложноструктурных материалов // Дефектоскопия. 2015. № 6. С. 32—40.
34. Качанов В.К., Карташев В.Г., Соколов И.В., Концов Р.В., Федоров М.Б. Ультразвуковая адаптивная многофункциональная дефектоскопия. М.: Издат. дом МЭИ, 2015.
35. Качанов В.К. и др. Структурный шум в ультразвуковой дефектоскопии. М.: Издат. дом МЭИ, 2016.
36. Карташев В.Г., Качанов В.К., Шалимова Е.В. Оценка потенциальной точности измерения толщины объектов из сложноструктурных материалов с частотно-зависимым затуханием ультразвука // Измерительная техника. 2016. № 11. С. 60—63.
37. Качанов В.К. и др. Выбор параметров пространственно-временной обработки сигналов при ультразвуковой структуроскопии чугунных изложниц, подвергшихся термоциклированию // Дефектоскопия. 2016. № 6. С. 42—50.
---
Для цитирования: Мирошникова И.Н., Попов А.И., Гуляев А.М., Зенова Е.В. Подготовка инженеров на кафедре электроники и наноэлектроники в XXI веке // Вестник МЭИ. 2018. № 5. С. 103—110. DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
#
1. Gulyaev A.M., Shnitnikov A.S. Vliyanie Izbytka Komponentov na Elektricheskie Svoystva Plenok Antimonida Indiya. Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 2015;49;2:214—218. (in Russian).
2. Morozova N.K. Kristallografiya i Metody Issledo vaniya Struktur. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
3. Popov A.I. Fizika i Tekhnologiya Neuporyadochennyh Poluprovodnikov. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
4. Voronkov E.N., Gulyaev A.M., Miroshnikova I.N., Charykov N.A. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2009. (in Russian).
5. Voronkov E.N. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2010. (in Russian).
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Self activated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model. Phys Stat Solidi. 2010;7;6:1501—1503.
7. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Osobennosti Eksitonnyh Spektrov Monokristallov CdS(O). Izv Vuzov. Ceriya «Elektronika». 2012;1 (93):14—20. (in Russian).
8. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Opticheskie Svoystva Sloev Cds(O), Ionno-legirovannyh Kislorodom, s Pozitsii Teorii Antiperesekayushchihsya Zon. FTP. 2013;47;8:1014—1021. (in Russian).
9. Morozova N.K., Galstyan V.G., Volkov A.O., Mashchenko V.E. Opticheskie svoystva Ionno-legirovannyh sloev ZnO(Se) s Pozitsiy Teorii Antiperesekayushchihsya zon. FTP. 2015;49;9:1169—1174. (in Russian).
10. Morozova N.K., Miroshnikov B.N. Izoelektronnye Tsentry Kisloroda i Provodimost' Kristallov CdS v Sravnenii s PbS. FTP. 2018;52;3:295—298. (in Russian).
11. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yгrkov S.N., Palmour J.W. Narushenie Neytral'nosti i Vozniknovenie S-obraznoy Vol't-ampernoy Harakteristiki pri Dvoynoy Inzhektsii v Legirovannyh Poluprovodnikah. FTP. 2013;47;3:302—309. (in Russian).
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift. J. Appl. Phys. 2013;114;6:064503.
13. Levinshteyn M.E. i dr. Vysokovol'tnyy Tiristor na Osnove Karbida Kremniya s Blokiruyushchey Bazoy n-tipa. FTP. 2016;50;3:408—414. (in Russian).
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level. Solid-state Electronics. 2016;121;7:41—46.
15. Yurkov S.N. i dr. Analiz Vliyaniya Neodnomernyh Effektov na Otpirayushchiy Tok Upravleniya Tiristornyh Struktur na Osnove 4H-SiC. FTP. 2017;51;2:234—239. (in Russian).
16. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yurkov S.N. Vol't-ampernaya Harakteristika Diodov Shottki pri Bol'shih Plotnostyah Toka v Usloviyah Inzhektsii Neosnovnyh Nositeley. FTP. 2017;51;8: 1125—1130. (in Russian).
17. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Mohamed H.S.H., Popov A.I. Shum Tipa 1/Fα v Fotochuvstvitel'nyh Elementah na Osnove Sul'fida Svintsa. Izmeritel'naya Tekhnika. 2015;2:37—40. (in Russian).
18. Barinov A.D. i dr. Ispol'zovanie Sovremennogo Oborudovaniya dlya Analiza Tonkoplenochnyh Struktur: Uspekhi i Problemy. Vestnik MPEI. 2013;5:129—132. (in Russian).
19. Varlashov I.B. i dr. Issledovanie Fotochuvstvitel'nyh Struktur na Osnove Pbs Metodom Ozhe-elektronnoy Spektroskopii. Vestnik MPEI. 2015;2:103—107. (in Russian).
20. Mohamed H.S.H. e. a. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods. J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014;27:725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrystalline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide. J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014;9:783—786.
22. Miroshnikova I.N., Miroshnikov B.N., Popov A.I. Optimizatsiya Parametrov Polikristallicheskih Fotorezistorov na Osnove PbS. FTP. 2018;2:245—249. (in Russian).
23. Popov A. I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L., Vasil'ev A.L. Nanostrukturirovanie Plenok Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Kompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;5—6:48—51. (in Russian).
24. Presnyakov M.Yu. i dr. Termostabil'nost' Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;7—8:59—70. (in Russian).
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites.J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014;9;6: 787—791.
26. Barinov A.D., Popov A.I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L. Vliyanie Termoobrabotok na Strukturu, Himicheskiy Sostav i Elektroprovodnost' Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Vestnik MPEI. 2015;1:85—90. (in Russian).
27. Gulyaev A.M. i dr. Rezistivnye Gazovye Sensory s Povyshennoy Chuvstvitel'nost'yu k Spirtam na Osnove Nanokristallicheskih Plenok Okislov Olova s Additivami Terbiya i Sur'my. Izmeritel'naya Tekhnika. 2017;7:34—36. (in Russian).
28. Sarach O.B. Gazovye Sensory na Osnove Tonkih Plenok SnO 2-x s Additivom Gd. Vestnik MPEI. 2015;4: 62—66. (in Russian).
29. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Anufriev Yu.V. Usloviya Ustoychivogo Pereklyucheniya v Yacheykah Pamyati na Fazovyh Perekhodah. FTP. 2015;49;4:509—514. (in Russian).
30. Popov A.I. i dr. Vliyanie Konstruktsii Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah na Harakteristiki Pereklyucheniya. Vestnik MPEI. 2014;4:61—65. (in Russian).
31. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Dudin A.A., Anufriev Yu.V. Vliyanie Teplovyh Protsessov na Rabotosposobnost' Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah. Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki: Sb. Trudov IX Mezhdunar. Konf. SPb.: Izd-vo Politekhn. Un-ta, 2014:99—100. (in Russian)
32. Kartashev V.G. i dr. Primenenie Sinhronnogo Detektirovaniya pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Betonnyh Izdeliy s Neodnorodnoy Strukturoy. Defektoskopiya. 2015;8:34—46. (in Russian).
33. Kachanov V.K. i dr. Primenenie Radiotekhnicheskih Metodov Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Izdeliy iz Slozhnostrukturnyh Materialov. Defektoskopiya. 2015;6:32—40. (in Russian).
34. Kachanov V.K., Kartashev V.G., Sokolov I.V., Kontsov R.V., Fedorov M.B. Ul'trazvukovaya Adaptiv- naya Mnogofunktsional'naya Defektoskopiya. M.: Izdat. Dom MPEI, 2015. (in Russian).
35. Kachanov V.K. i dr. Strukturnyy Shum v Ul'trazvukovoy Defektoskopii. M.: Izdat. Dom MPEI, 2016. (in Russian).
36. Kartashev V.G., Kachanov V.K., Shalimova E.V. Otsenka Potentsial'noy Tochnosti Izmereniya Tolshchiny Ob'ektov iz Slozhnostrukturnyh Materialov s Chastotnozavisimym Zatuhaniem Ul'trazvuka. Izmeritel'naya Tekhnika. 2016;11:60—63. (in Russian).
37. Kachanov V.K. i dr. Vybor Parametrov Prostranstvenno-vremennoy Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Strukturoskopii Chugunnyh Izlozhnits, Podvergshihsya Termotsiklirovaniyu. Defektoskopiya. 2016;6:42—50. (in Russian).
---
For citation: Miroshnikova I.N., Popov A.I., Gulyaev A.M., Zenova E.V. Training of Engineers at the Department of Electronics and Nanoelectronics in the XXI Century. MPEI Vestnik. 2018;5:103—110. (in Russian). DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
2. Морозова Н.К. Кристаллография и методы исследования структур. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
3. Попов А.И. Физика и технология неупорядоченных полупроводников. М.: Издат. дом МЭИ, 2008.
4. Воронков Э.Н., Гуляев А.М., Мирошникова И.Н., Чарыков Н.А. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2009.
5. Воронков Э.Н. Твердотельная электроника. М.: Академия, 2010.
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Selfactivated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model // Phys Stat Solidi. 2010. V. 7. No. 6. Pp. 1501—1503.
7. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Особенности экситонных спектров монокристаллов CdS(О) // Изв. Вузов. Cерия «Электроника». 2012. № 1 (93). С. 14—20.
8. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1014—1021.
9. Морозова Н.К., Галстян В.Г., Волков А.О., Мащенко В.Е. Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1169—1174.
10. Морозова Н.К., Мирошников Б.Н. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 3. С. 295—298.
11. Мнацаканов T.T., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н., Palmour J.W. Нарушение нейтральности и возникновение S-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках // ФТП. 2013. Т. 47. № 3. С. 302—309.
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. No. 6. P. 064503.
13. Левинштейн М.Е. и др. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа // ФТП. 2016. Т. 50. № 3. С. 408—414.
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level // Solid-state Electronics. 2016. V. 121. No. 7. Pp. 41—46.
15. Юрков С.Н. и др. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC // ФТП. 2017. Т. 51. № 2. С. 234—239.
16. Мнацаканов Т.Т., Тандоев А.Г., Левинштейн М.Е., Юрков С.Н. Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей // ФТП. 2017. Т. 51. № 8. С. 1125—1130.
17. Мирошников Б.Н., Мирошникова И.Н., Мохамед Х.С.Х., Попов А.И. Шум типа 1/Fα в фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца // Измерительная техника. 2015. № 2. С. 37—40.
18. Баринов А.Д. и др. Использование современного оборудования для анализа тонкопленочных структур: успехи и проблемы // Вестник МЭИ. 2013. № 5. С. 129—132.
19. Варлашов И.Б. и др. Исследование фоточувствительных структур на основе PbS методом ожеэлектронной спектроскопии // Вестник МЭИ. 2015.№ 2. С. 103—107.
20. Mohamed H.S.H. е. а. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods // J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014. V. 27. P. 725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrysta lline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide // J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014. No. 9. Pp. 783—786.
22. Мирошникова И.Н., Мирошников Б.Н., Попов А.И. Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS // ФТП. 2018. Вып. 2. С. 245—249.
23. Попов А. И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л.Васильев А.Л. Наноструктурирование пленок металлосодержащих кремний-углеродных композитов // Российские нанотехнологии. 2014. T. 9. № 5—6. C. 48—51.
24. Пресняков М.Ю. и др. Термостабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7—8. С. 59—70.
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites // J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014. V. 9. No. 6. Pp. 787—791.
26. Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. Влияние термообработок на структуру, химический состав и электропроводность кремнийуглеродных нанокомпозитов // Вестник МЭИ. 2015. № 1. C. 85—90.
27. Гуляев А.М. и др. Резистивные газовые сенсоры с повышенной чувствительностью к спиртам на основе нанокристаллических пленок окислов олова с аддитивами тербия и сурьмы // Измерительная техника. 2017. № 7. С. 34—36.
28. Сарач О.Б. Газовые сенсоры на основе тонких пленок SnO 2-x с аддитивом Gd // Вестник МЭИ. 2015.№ 4. С. 62—66.
29. Попов А.И., Сальников С.М., Ануфриев Ю.В. Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 4. С. 509—514.
30. Попов А.И. и др. Влияние конструкции ячеек памяти на фазовых переходах на характеристики переключения // Вестник МЭИ. 2014. № 4. С. 61—65.
31. Попов А.И., Сальников С.М., Дудин А.А., Ануфриев Ю.В. Влияние тепловых процессов на работоспособность ячеек памяти на фазовых переходах // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сб. трудов IX Междунар. конф. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2014. С. 99—100.
32. Карташев В.Г. и др. Применение синхронного детектирования при ультразвуковой толщинометрии бетонных изделий с неоднородной структурой // Дефектоскопия. 2015. № 8. С. 34—46.
33. Качанов В.К. и др. Применение радиотехнических методов обработки сигналов при ультразвуковой толщинометрии изделий из сложноструктурных материалов // Дефектоскопия. 2015. № 6. С. 32—40.
34. Качанов В.К., Карташев В.Г., Соколов И.В., Концов Р.В., Федоров М.Б. Ультразвуковая адаптивная многофункциональная дефектоскопия. М.: Издат. дом МЭИ, 2015.
35. Качанов В.К. и др. Структурный шум в ультразвуковой дефектоскопии. М.: Издат. дом МЭИ, 2016.
36. Карташев В.Г., Качанов В.К., Шалимова Е.В. Оценка потенциальной точности измерения толщины объектов из сложноструктурных материалов с частотно-зависимым затуханием ультразвука // Измерительная техника. 2016. № 11. С. 60—63.
37. Качанов В.К. и др. Выбор параметров пространственно-временной обработки сигналов при ультразвуковой структуроскопии чугунных изложниц, подвергшихся термоциклированию // Дефектоскопия. 2016. № 6. С. 42—50.
---
Для цитирования: Мирошникова И.Н., Попов А.И., Гуляев А.М., Зенова Е.В. Подготовка инженеров на кафедре электроники и наноэлектроники в XXI веке // Вестник МЭИ. 2018. № 5. С. 103—110. DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
#
1. Gulyaev A.M., Shnitnikov A.S. Vliyanie Izbytka Komponentov na Elektricheskie Svoystva Plenok Antimonida Indiya. Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 2015;49;2:214—218. (in Russian).
2. Morozova N.K. Kristallografiya i Metody Issledo vaniya Struktur. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
3. Popov A.I. Fizika i Tekhnologiya Neuporyadochennyh Poluprovodnikov. M.: Izdat. Dom MPEI, 2008. (in Russian).
4. Voronkov E.N., Gulyaev A.M., Miroshnikova I.N., Charykov N.A. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2009. (in Russian).
5. Voronkov E.N. Tverdotel'naya Elektronika. M.: Akademiya, 2010. (in Russian).
6. Morozova N., Danilevich N., Kanakhin A. Self activated Luminescence Spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model. Phys Stat Solidi. 2010;7;6:1501—1503.
7. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Osobennosti Eksitonnyh Spektrov Monokristallov CdS(O). Izv Vuzov. Ceriya «Elektronika». 2012;1 (93):14—20. (in Russian).
8. Morozova N.K., Danilevich N.D., Oleshko V.I., Vil'chinskaya S.S. Opticheskie Svoystva Sloev Cds(O), Ionno-legirovannyh Kislorodom, s Pozitsii Teorii Antiperesekayushchihsya Zon. FTP. 2013;47;8:1014—1021. (in Russian).
9. Morozova N.K., Galstyan V.G., Volkov A.O., Mashchenko V.E. Opticheskie svoystva Ionno-legirovannyh sloev ZnO(Se) s Pozitsiy Teorii Antiperesekayushchihsya zon. FTP. 2015;49;9:1169—1174. (in Russian).
10. Morozova N.K., Miroshnikov B.N. Izoelektronnye Tsentry Kisloroda i Provodimost' Kristallov CdS v Sravnenii s PbS. FTP. 2018;52;3:295—298. (in Russian).
11. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yгrkov S.N., Palmour J.W. Narushenie Neytral'nosti i Vozniknovenie S-obraznoy Vol't-ampernoy Harakteristiki pri Dvoynoy Inzhektsii v Legirovannyh Poluprovodnikah. FTP. 2013;47;3:302—309. (in Russian).
12. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N. Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities: Suppression of Broken Neutrality Drift. J. Appl. Phys. 2013;114;6:064503.
13. Levinshteyn M.E. i dr. Vysokovol'tnyy Tiristor na Osnove Karbida Kremniya s Blokiruyushchey Bazoy n-tipa. FTP. 2016;50;3:408—414. (in Russian).
14. Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Yurkov S.N., Palmour J.W. Minority Carrier Injection and Current-voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Injection Level. Solid-state Electronics. 2016;121;7:41—46.
15. Yurkov S.N. i dr. Analiz Vliyaniya Neodnomernyh Effektov na Otpirayushchiy Tok Upravleniya Tiristornyh Struktur na Osnove 4H-SiC. FTP. 2017;51;2:234—239. (in Russian).
16. Mnatsakanov T.T., Tandoev A.G., Levinshteyn M.E., Yurkov S.N. Vol't-ampernaya Harakteristika Diodov Shottki pri Bol'shih Plotnostyah Toka v Usloviyah Inzhektsii Neosnovnyh Nositeley. FTP. 2017;51;8: 1125—1130. (in Russian).
17. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Mohamed H.S.H., Popov A.I. Shum Tipa 1/Fα v Fotochuvstvitel'nyh Elementah na Osnove Sul'fida Svintsa. Izmeritel'naya Tekhnika. 2015;2:37—40. (in Russian).
18. Barinov A.D. i dr. Ispol'zovanie Sovremennogo Oborudovaniya dlya Analiza Tonkoplenochnyh Struktur: Uspekhi i Problemy. Vestnik MPEI. 2013;5:129—132. (in Russian).
19. Varlashov I.B. i dr. Issledovanie Fotochuvstvitel'nyh Struktur na Osnove Pbs Metodom Ozhe-elektronnoy Spektroskopii. Vestnik MPEI. 2015;2:103—107. (in Russian).
20. Mohamed H.S.H. e. a. Spectral Characteristics and Morphology of Nanostructured Pb–S–O Thin Films Synthesized Via Two Different Methods. J. Materials Sciencein Semiconductor Proc. 2014;27:725—732.
21. Miroshnikov B.N., Miroshnikova I.N., Popov A.I., Zinchenko M.Y. Polycrystalline and Nanocrystalline Photosensitive Layers Based on Lead Sulfide. J. Nanoelectron and Optoelectron. 2014;9:783—786.
22. Miroshnikova I.N., Miroshnikov B.N., Popov A.I. Optimizatsiya Parametrov Polikristallicheskih Fotorezistorov na Osnove PbS. FTP. 2018;2:245—249. (in Russian).
23. Popov A. I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L., Vasil'ev A.L. Nanostrukturirovanie Plenok Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Kompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;5—6:48—51. (in Russian).
24. Presnyakov M.Yu. i dr. Termostabil'nost' Metallosoderzhashchih Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Rossiyskie Nanotekhnologii. 2014;9;7—8:59—70. (in Russian).
25. Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. Modification of Properties of Silicon-carbon Nanocomposites.J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2014;9;6: 787—791.
26. Barinov A.D., Popov A.I., Presnyakov M.Yu., Shupegin M.L. Vliyanie Termoobrabotok na Strukturu, Himicheskiy Sostav i Elektroprovodnost' Kremniy-uglerodnyh Nanokompozitov. Vestnik MPEI. 2015;1:85—90. (in Russian).
27. Gulyaev A.M. i dr. Rezistivnye Gazovye Sensory s Povyshennoy Chuvstvitel'nost'yu k Spirtam na Osnove Nanokristallicheskih Plenok Okislov Olova s Additivami Terbiya i Sur'my. Izmeritel'naya Tekhnika. 2017;7:34—36. (in Russian).
28. Sarach O.B. Gazovye Sensory na Osnove Tonkih Plenok SnO 2-x s Additivom Gd. Vestnik MPEI. 2015;4: 62—66. (in Russian).
29. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Anufriev Yu.V. Usloviya Ustoychivogo Pereklyucheniya v Yacheykah Pamyati na Fazovyh Perekhodah. FTP. 2015;49;4:509—514. (in Russian).
30. Popov A.I. i dr. Vliyanie Konstruktsii Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah na Harakteristiki Pereklyucheniya. Vestnik MPEI. 2014;4:61—65. (in Russian).
31. Popov A.I., Sal'nikov S.M., Dudin A.A., Anufriev Yu.V. Vliyanie Teplovyh Protsessov na Rabotosposobnost' Yacheek Pamyati na Fazovyh Perekhodah. Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki: Sb. Trudov IX Mezhdunar. Konf. SPb.: Izd-vo Politekhn. Un-ta, 2014:99—100. (in Russian)
32. Kartashev V.G. i dr. Primenenie Sinhronnogo Detektirovaniya pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Betonnyh Izdeliy s Neodnorodnoy Strukturoy. Defektoskopiya. 2015;8:34—46. (in Russian).
33. Kachanov V.K. i dr. Primenenie Radiotekhnicheskih Metodov Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Tolshchinometrii Izdeliy iz Slozhnostrukturnyh Materialov. Defektoskopiya. 2015;6:32—40. (in Russian).
34. Kachanov V.K., Kartashev V.G., Sokolov I.V., Kontsov R.V., Fedorov M.B. Ul'trazvukovaya Adaptiv- naya Mnogofunktsional'naya Defektoskopiya. M.: Izdat. Dom MPEI, 2015. (in Russian).
35. Kachanov V.K. i dr. Strukturnyy Shum v Ul'trazvukovoy Defektoskopii. M.: Izdat. Dom MPEI, 2016. (in Russian).
36. Kartashev V.G., Kachanov V.K., Shalimova E.V. Otsenka Potentsial'noy Tochnosti Izmereniya Tolshchiny Ob'ektov iz Slozhnostrukturnyh Materialov s Chastotnozavisimym Zatuhaniem Ul'trazvuka. Izmeritel'naya Tekhnika. 2016;11:60—63. (in Russian).
37. Kachanov V.K. i dr. Vybor Parametrov Prostranstvenno-vremennoy Obrabotki Signalov pri Ul'trazvukovoy Strukturoskopii Chugunnyh Izlozhnits, Podvergshihsya Termotsiklirovaniyu. Defektoskopiya. 2016;6:42—50. (in Russian).
---
For citation: Miroshnikova I.N., Popov A.I., Gulyaev A.M., Zenova E.V. Training of Engineers at the Department of Electronics and Nanoelectronics in the XXI Century. MPEI Vestnik. 2018;5:103—110. (in Russian). DOI: 10.24160/1993-6982-2018-5-103-110.
Downloads
Published
2018-10-01
Issue
Section
Electronics (05.27.00)
