Тенденции патентования и некоторые особенности перевода патентов в микроэлектронике

  • Марина [Marina] Анатольевна [A.] Слепнева [Slepneva]
Ключевые слова: микроэлектроника, патент и его структура, международная патентная классификация, формула изобретения, трудности перевода

Аннотация

Патентная защита изобретений — неотъемлемая составляющая любой наукоёмкой отрасли. Микроэлектроника — одна из наиболее динамично развивающихся отраслей с очень коротким жизненным циклом продукции. Патент, помимо юридической информации, определяющей права патентообладателя, содержит полную техническую информацию, описывающую суть изобретения. Перевод патента сопровождается определенными трудностями как из-за стиля изложения информации, специфичного для данного вида документа, так и ответственности, накладываемой на переводчика в связи с возможной неверной трактовкой сути изобретения и соответствующей дезинформацией разработчика.

Рассмотрены основные трудности переводя, связанные с многозначностью слов, а также частым использованием общенаучных слов с целью расширения собственных прав. Особое внимание уделено связи научно-технической и патентоведческой терминологий. Отмечено, что обращение к патентно-поисковым системам с использованием МПК является наиболее эффективным и оперативным способом поиска наиболее точного толкования терминов и выражений при переводе. С целью определения особенностей перевода приведена подробная структура патента, каждый пункт в которой характеризуется собственными лексико-грамматическими особенностями.

Подробно рассмотрена формула изобретения, поскольку именно она характеризует объём исключительных прав. Основная юридическая нагрузка патента относится к формуле изобретения и представляет собой совокупность существенных признаков, каждый из которых необходим и достаточен для технического результата, на достижение которого направлено запатентованное изобретение. Отмечено присутствие как европейской (германской), так и американской моделей построения формулы изобретения, кардинально отличающихся друг от друга как по синтаксису, так и по логике изложения.

Проанализированы трудности перевода. Сделан вывод о том, что перевод патентов необходимо выполнять при соблюдении единства терминологии изложения, чтобы избежать в конечном результате неоднозначности толкования уже известных решений и нового патентуемого технического решения. Вольное толкование контекста описания изобретения недопустимо.

Сведения об авторе

Марина [Marina] Анатольевна [A.] Слепнева [Slepneva]

кандидат технических наук, доцент кафедры иностранных языков НИУ «МЭИ», e-mail: SlepnevaMA@mpei.ru

Литература

1. Патентно-информационная система «Espacenet» [Офиц. сайт] www.epo.org (дата обращения 02.08.2019).
2. Патентно-информационная система Роспатента [Офиц. сайт] www.freepatent.ru (дата обращения 02.08.2019).
3. Федеральная служба по интеллектуальной собственности [Офиц. сайт] www.rupto.ru (дата обращения 02.08.2019).
4. Национальное патентное ведомство США [Офиц. сайт] www.uspto.gov (дата обращения 02.08.2019).
5. Всемирная организация интеллектуальной собственности (ВОИС) [Офиц. сайт] http://www.wipo.int (дата обращения 02.08.2019).
6. Гражданский кодекс Российской Федерации. Ч. 4.
7. Литвин Ф.А. Многозначность слова в языке и речи. М.: Высшая школа, 1984.
8. Маленова Е.Д., Матвеева Л.А. Перевод патентов США и Великобритании: от теории к практике. Омск: Изд-во Омского гос. ун-та, 2008.
9. Мирошниченко Е.А. Полисемия и широкозначность слов как причина трудностей перевода узкоспециальных текстов у студентов неязыковых вузов // Научные труды КубГТУ. 2017. № 2. С. 211—219.
10. Административный регламент (утвержден приказом Министерства образования и науки РФ № 321 от 29 октября 2008 г.).
11. Международная патентная классификация (МПК–2019.1) [Офиц. сайт] www.wipo.int (дата обращения 02.08.2019).
12. Пат. US20040155260A1. High Electron Mobility Devices.
13. Пат. US7671455B2. Semiconductor Device Package with Heat Spreader.
14. Климзо Б.Н. Ремесло технического переводчика. Об английском языке, переводе и переводчиках научно-технической литературы. М.: «Р.Валент», 2006.
15. Пат. WO2019065208A1. Semiconductor Device.
16. Пат. № 2291416 РФ. Датчик определения концентрации газов / А.М. Гуляев и др. // Бюл. изобрет. 2007. № 1.
17. Клепикова Т.Г. К проблеме перевода патентных формул [Электрон. ресурс] www.dspace.nbuv.gov.ua (дата обращения 02.08.2019).
18. European Patent Organization [Офиц. сайт] www.epo.org (дата обращения 02.08.2019).
19. Пат. US10304680B1. Fabricating Semiconductor Devices Having Patterns with Different Feature Sizes.
20. Пат. 2651639 РФ. Способ локального травления двуокиси кремния / Н.В. Алексеев, Н.И. Боргардт // Бюл. изобрет. 2018. № 12.
21. Пат. US20120061663A1. Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same.
22. Пат.WO2019006832A1. Field-effect Transistor and Preparation Method Therefor.
---
Для цитирования: Слепнева М.А. Тенденции патентования и некоторые особенности перевода патентов в микроэлектронике // Вестник МЭИ. 2020. № 6. С. 135—141. DOI: 10.24160/1993-6982-2020-6-135-141.
#
1. Patentno-informatsionnaya Sistema «Espacenet» [Ofits. Sajt] www.epo.org (Data Obrashcheniya 02.08.2019). (in Russian).
2. Patentno-informatsionnaya Sistema Rospatenta [Ofits. Sajt] www.freepatent.ru (Data Obrashcheniya 02.08.2019). (in Russian).
3. Federal'naya Sluzhba po Intellektual'noj Sobstvennosti [Ofits. sajt] www.rupto.ru (Data Obrashcheniya 02.08.2019). (in Russian).
4. Natsional'noe Patentnoe Vedomstvo SSHA [Ofits. Sajt] www.uspto.gov (Data Obrashcheniya 02.08.2019).
5. Vsemirnaya Organizatsiya Intellektual'noj Sobstvennosti (VOIS) [Ofits. sajt] http://www.wipo.int (Data Obrashcheniya 02.08.2019).
6. Grazhdanskij Kodeks Rossijskoj Federatsii. Ch. 4. (in Russian).
7. Litvin F.A. Mnogoznachnost' Slova v Yazyke i Rechi. M.: Vysshaya Shkola, 1984. (in Russian).
8. Malenova E.D., Matveeva L.A. Perevod Patentov SSHA i Velikobritanii: ot Teorii k Praktike. Omsk: Izd-vo Omskogo Gos. Un-ta, 2008. (in Russian).
9. Miroshnichenko E.A. Polisemiya i Shirokoznachnost' Slov kak Prichina Trudnostej Perevoda Uzkospetsial'nykh Tekstov u Studentov Neyazykovykh Vuzov. Nauchnye Trudy KubGTU. 2017;2:211—219. (in Russian).
10. Administrativnyj Reglament (Utverzhden Prikazom Ministerstva Obrazovaniya i Nauki RF № 321 ot 29 Oktyabrya 2008 g.). (in Russian).
11. Mezhdunarodnaya Patentnaya Klassifikatsiya (MPK–2019.1) [Ofits. Sajt] www.wipo.int (Data Obrashcheniya 02.08.2019). (in Russian).
12. Pat. US20040155260A1. High Electron Mobility Devices.
13. Pat. US7671455B2. Semiconductor Device Package with Heat Spreader.
14. Klimzo B.N. Remeslo Tekhnicheskogo Perevodchika. Ob Anglijskom Yazyke, Perevode i Perevodchikakh Nauchno-tekhnicheskoj Literatury. M.: «R.Valent», 2006. (in Russian).
15. Pat. WO2019065208A1. Semiconductor Device.
16. Pat. № 2291416 RF. Datchik Opredeleniya Kontsentratsii Gazov. A.M. Gulyaev i dr. Byul. Izobret. 2007:1. (in Russian).
17. Klepikova T.G. K Probleme Perevoda Patentnykh Formul [Elektron. Resurs] www.dspace.nbuv.gov.ua (Data Obrashcheniya 02.08.2019). (in Russian).
18. European Patent Organization [Ofits. Sajt] www.epo.org (Data Obrashcheniya 02.08.2019).
19. Pat. US10304680B1. Fabricating Semiconductor Devices Having Patterns with Different Feature Sizes.
20. Pat. 2651639 RF. Sposob Lokal'nogo Travleniya Dvuokisi Kremniya. N.V. Alekseev, N.I. Borgardt. Byul. izobret. 2018;12. (in Russian).
21. Pat. US20120061663A1. Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same.
22. Pat.WO2019006832A1. Field-effect Transistor and Preparation Method Therefor.
---
For citation: Slepneva M.A. Patenting Tendencies and Some Specific Features of Translating Patents in Microelectronics. Bulletin of MPEI. 2020;6:135—141. (in Russian). DOI: 10.24160/1993-6982-2020-6-135-141.
Опубликован
2019-09-02
Раздел
Германские языки (10.02.04)