Вычисление коэффициента ускорения испытаний на безотказность на основе тепловизионного анализа кристалла сверхбольших интегральных схем

Аннотация

Представлен новый способ оценки коэффициента ускорения форсированных испытаний на безотказность сверхбольших интегральных схем (СБИС). В его основе лежит тепловизионный анализ кристалла испытуемой СБИС. В настоящее время расчет коэффициента ускорения для проведения испытаний на безотказность СБИС проводят по закону Аррениуса, где коэффициент зависит от температуры кристалла. Температура кристалла, в свою очередь, представлена суммой температуры корпуса и произведения максимальной рассеиваемой мощности и теплового сопротивления «кристалл – корпус». Недостаток существующего способа заключается в том, что расчет проводится по одному значению температуры кристалла, полученному аналитически. Однако СБИС является сложной системой, и судить о коэффициенте ускорения испытаний по одному значению температуры кристалла невозможно. Предложен расчет коэффициента ускорения испытаний на безотказность СБИС по температурам множества точек на поверхности кристалла СБИС. Это позволит учитывать влияние тестовой последовательности на распределение температуры по поверхности кристалла, подбирая тестовые последовательности таким образом, чтобы обеспечить максимальный и равномерный нагрев кристалла. Благодаря предложенному способу становится возможным более точное вычисление коэффициента ускорения испытаний, а также потенциальное увеличение его за счет подбора тестовой последовательности. Более точный расчет коэффициента ускорения повышает достоверность испытаний на безотказность. Предложенный способ оценки коэффициента ускорения потвержден экспериментально. Дано описание рабочего места, расчеты коэффициентов ускорения испытаний на безотказность двумя способами и их сравнение.